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高溫反偏

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設(shè)備:高溫反偏測試系統(tǒng)HTXB GR3-D

廠商:閱芯科技

用途:用于功率半導(dǎo)體器件的環(huán)境老化試驗,比如 Si/SiC/GaN 材料的 IGBT/DIODE/MOSFET/HEMT/BJT/SCR 等器件的 HTRB 試驗。HTRB是在高溫下加上反向偏壓的工作模式,由于高溫下漏電流增加,質(zhì)量差的器件就會失效,以此評估產(chǎn)品的可靠性。

測試標準:GJB128A-1997 方法 1038 條件A;MIL-STD-750F Method 1038 Test condition A

技術(shù)指標:

l  最大工作電壓2000V

l  測試溫度:-20-180

l  ICES檢測范圍:0-98mA,分辨率0.1μA


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